观察！台积电盘中涨超6% 总市值超伯克希尔：芯片巨头强势崛起

台积电盘中涨超6% 总市值超伯克希尔：芯片巨头强势崛起

台北 - 2024年6月12日，台积电（TSMC）在美股盘中涨超6%，股价突破176美元/股，市值超过9100亿美元，首次超越沃伦·巴菲特旗下伯克希尔·哈撒韦（BRK.A），成为美股市值第七大上市公司。

台积电股价上涨，主要得益于以下几个因素：

• 全球芯片需求旺盛。受智能手机、汽车、数据中心等行业需求增长推动，全球芯片需求持续旺盛。台积电作为全球最大的芯片代工企业，能够充分受益于这一趋势。
• 台积电2nm芯片进展顺利。台积电2nm芯片预计将于2025年量产，这将是世界上最先进的芯片制造工艺之一。台积电2nm芯片的进展顺利，提振了投资者信心。
• 美联储加息预期减弱。近期，美联储加息预期有所减弱，这利好科技股表现。

台积电股价上涨，也反映出市场对芯片行业发展前景的乐观预期。随着全球数字化转型进程的加快，芯片需求将继续增长，台积电作为芯片行业的龙头企业，有望继续保持强劲增长势头。

值得注意的是，台积电是美国股市的重要组成部分。台积电股价上涨，也将推动美股指数走高。

台积电股价上涨，也引发了市场对全球芯片产业格局变化的担忧。台积电的强势崛起，可能会对其他芯片厂商造成压力。

总体而言，台积电股价上涨是芯片行业发展的一个重要信号。未来，台积电将如何发展，值得市场关注。

附赠：

• 台积电官网：https://www.tsmc.com/chinese
• 伯克希尔·哈撒韦官网：https://www.berkshirehathaway.com/

通过此次新闻稿的撰写，我更加了解了台积电股价上涨的背景和原因，以及对芯片行业和全球股市的影响。相信随着芯片技术的不断进步和应用领域的不断拓宽，芯片行业将迎来更加广阔的发展前景。

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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TechInsights是一家专注于半导体和集成电路领域的技术研究公司。该公司为客户提供各种市场研究和分析服务，包括市场趋势分析、技术分析和竞争对手分析。

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